Technische Universitaet Bergakademie Freiberg
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Halbleiterwerkstoffe

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Sessile Drop-Anlage

 
 

Die Anlage besteht aus einem Hochtemperaturofen mit drei separat regelbaren Heizzonen, einem Vakuum- und Inertgassystem sowie einem digitalen Kamerasystem mit computergesteuerter Bildaufnahme und -verarbeitung. Sie wird für die Bestimmung der Oberflächenspannung und des Kontaktwinkels von Halbleiterschmelzen nach der sessile drop-Methode benutzt.
Der Ofen ermöglicht die Einstellung eines Temperaturplateaus bei Temperaturen bis ca. 1600°C. Es können Versuche im Hochvakuum (Minimaldruck ca. 10-5mbar) oder mit einem bestimmten Inertgasdruck durchgeführt werden. Optional kann anstelle des Vakuumsystems eine separate Dampfdruckquelle (Maximaltemperatur ca. 650°C) angeflanscht werden, so dass auch Untersuchungen unter definiertem Partialdruck einer verdampflichen Substanz möglich sind.

 



© Olf Pätzold, 18.01.2008 http://www.tu-freiberg.de/~inemet/allgemein/gero.htm
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